+7 (495) 656-6281, +7 (495) 922-7982 (Пн-суб: с 10 до 20ч.)
Спец-сервис. Ремонт ноутбуков, материнских плат, видеокарт,  восстановление данных
Главная Новости Статьи Файлы Доставка FAQ Контакты
Наша деятельность

Контакты

Разное

Новости

Новости


SK hynix разработала самую быструю память в мире — HBM3E со скоростью 1,15 Тбайт/с
Понедельник, 21 Август 2023

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ.

Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.



HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

По материалам 3dnews.ru

Прочитали: 141 раз


Читайте так же:
  • Оперативная память LPCAMM2 завоевывает место под солнцем
  • Cерия десктопных процессоров AMD Ryzen 9000 Zen5 пошла в производство
  • Рынок игрового «железа» на весну 2024 года
  • В противостоянии с Intel, AMD решило изменить наименование новых чипов
  • Эксперты предполагают, что в 2024 году начнется рост на рынке компьютерного железа
    Вернуться назад
  • Карта сайта «Спец-сервис» — сервисный центр компании «Ювит» Copyright 2004—2024 «Ювит»