Сообщается, что новая технология производства SiGe:C (кремний-германий-углерод) биполярных SiGe-гетеротранзисторов (HBT) позволяет создавать устройства с уровнем шума 0,75 дБ при частоте 6 ГГц. По новой технологии будут производиться транзисторы семейства BFP740HBT.
Новые транзисторы будут использоваться в устройствах радиочастотной беспроводной передачи информации, работающих на частоте выше 10 ГГц, куда входят и усилители для WLAN и WiMAX сетей.
| 
