+7 (495) 656-6281, +7 (495) 922-7982 (Пн-суб: с 10 до 20ч.)
Спец-сервис. Ремонт ноутбуков, материнских плат, видеокарт,  восстановление данных
Главная Новости Статьи Файлы Доставка FAQ Контакты
Наша деятельность

Контакты

Разное

Новости

Новости


Infineon представила SiGe:C транзисторы
Пятница, 02 Сентябрь 2005

Известный немецкий производитель микропроцессоров и электронных компонентов, компания Infineon, сообщила о разработке новых транзисторов, значительно отличающихся по производительности от галлий-арсенидных (GaAs - галлий-мышьяк) аналогов.

Сообщается, что новая технология производства SiGe:C (кремний-германий-углерод) биполярных SiGe-гетеротранзисторов (HBT) позволяет создавать устройства с уровнем шума 0,75 дБ при частоте 6 ГГц. По новой технологии будут производиться транзисторы семейства BFP740HBT.

Новые транзисторы будут использоваться в устройствах радиочастотной беспроводной передачи информации, работающих на частоте выше 10 ГГц, куда входят и усилители для WLAN и WiMAX сетей.


Прочитали: 279 раз

Новости по теме:
  • IBM разработала 500 ГГц транзисторы
  • Samsung представила гибридный жесткий диск
  • AMD представила процессоры для разъёма AM2
  • VIA представила звуковой кодек Vinyl VT1708
  • Nvidia представила графический процессор GeForce 7 серии

    Читайте так же:
  • Alderon Games называет процессоры Intel Core i9 13 и 14-го поколения "дефектными"
  • Intel прекращает поддержку оперативной памяти DDR4
  • Россия к 2028 г. наладит производство процессоров по топологии 65 нм. А оно нам надо?
  • Оперативная память LPCAMM2 завоевывает место под солнцем
  • Cерия десктопных процессоров AMD Ryzen 9000 Zen5 пошла в производство
    Вернуться назад
  • Карта сайта «Спец-сервис» — сервисный центр компании «Ювит» Copyright 2004—2024 «Ювит»